收藏本站
DMN601VK
V GS = 10V
8V
6V
5V
4V
8V
6V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
3V
3V
5V
4V
0
0
1 2 3 4
5
2
1.5
1
0.5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
V DS = 10V
I D = 1mA
Pulsed
10
1
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
0
-50
-25
0 25 50
75 100
125
150
0.1
10
T CH , CHANNEL TEMPERATURE (°C)
Fig. 3 Gate Threshold Voltage
vs. Channel Temperature
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 5 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current
1
0
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current
V GS, GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Gate-Source Voltage
DMN601VK
Document number: DS30655 Rev. 4 - 2
2 of 4
www.diodes.com
October 2007
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMN601WK-7 MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3
DMN6040SFDE-7 MOSF N CH 60V 5.3A U DFN2020-6E
DMN6040SSD-13 MOSFET N CH 60V 5A SO-8
DMN6040SSS-13 MOSFET N CH 60V 5.5A SO-8
DMN6040SVT-7 MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
DMN6066SSD-13 MOSFET 2N-CH 60V 3.3A SO8
DMN6066SSS-13 MOSFET N-CH 60V 3.7A SO8
DMN6068LK3-13 MOSFET N-CH 60V 6A DPAK
相关代理商/技术参数
DMN601WK 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN601WK_09 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN601WK-7 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN6040SFDE-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 U-DFN2020-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN6040SK3-13 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R 2.5K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH 60V 20A TO252 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N-channel 60V 20A TO-252 D2PAK
DMN6040SSD-13 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN6040SSS-13 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN6040SVT-7 功能描述:MOSFET 60V N-Ch 44mOhm 10V VGS 5.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube